摄影基础知识：如何用手机拍好夜景？-一来一往网

摄影基础知识：如何用手机拍好夜景？

时间：2025-03-04 23:28:39 来源：一来一往网作者：南方台湾小姑娘

并且，摄影泡泡玛特在海外建厂缓解出产压力的行动，却导致了出产端呈现了不同工厂不同质量的紊乱，乃至还呈现了冒充伪劣产品的状况。

一般想到dv/dt，基础机拍景咱们榜首反应是高dv/dt会导致激烈的电磁搅扰，影响周围的灵敏电路，下降体系的信号完整性。为了便于了解，知识咱们别离剖析以下两种MOS误导通模型：知识模型1：不考虑外部栅极电阻此模型相当于MOS的栅极悬空此刻相当于Cgd和Cgs两个寄生电容串联接在Vds之间：那么感应电压Vgs=Vds*Cgd/(Cgd+Cgs)只有当Vds*Cgd/(Cgd+Cgs)。

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Part02MOS误导通的原因咱们以DCDC电路为例，用手比方同步开关电源，其拓扑电路，一般是运用一组MOSFET作为上管和下管来分时开关完成稳压输出。除此之外高dv/dt还会发生别的一大损害，好夜那就是假如dv/dt过高，好夜漏源电压的快速改变会经过栅-漏电容Cgd耦合到栅极电压Vgs，导致栅极电压瞬时上升，从而使MOSFET在封闭的情况下误导通。Part01前语在MOSFET中，摄影dv/dt指的是MOSFET在开关瞬态期间，其漏源电压Vds的改变率，即漏极和源极之间电压随时刻的改变速度。

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开关频率越高，基础机拍景对应的漏极和源极电压随时刻的改变：基础机拍景dv/dt会越大，依据MOSFET的栅-漏极电容Cgd和栅-源极电容Cgs之间的比值会在MOS的G-S直接构成一个分压，或经过Cds流向栅极电阻R的电流会在栅极电阻两头构成一个分压，当此分压大于栅极敞开电压时就会导致MOSFET自导通。当MOSFET高速开关时，知识MOSFET由导通切换到关断状态下，MOSFET的漏极和源极端子之间会发生快速上升的电压Vds

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这次揭露歼-35A（歼-35A在珠海航展上的露脸标志着其获得了正式类型序列，基础机拍景有了户口，这表明该机型现已正式列装空军。材料显现，知识F-35战斗机是美国研发一型单座单发战斗机/联合攻击机，知识在世界上归于第五代战斗机，是世界上最大的单发单座舰载战斗机和已执役的舰载第五代战斗机。

宋心之还介绍了这两种战机的协作形式，用手一种是歼-35A独立应对，一种是两者协同作战。之前有网友表明，好夜为何这款新的战斗机命名没有连续之前的歼-20，而是跳到了歼-35

(责任编辑：狼啸)

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